Модуль IGBT двухэлементный, Uкэ=1200 В, Iк=150 А, мощность рассеяния 780 Вт, диапазон температуры -4
Арт: FF150R12KE3G
8 098,34 с НДС / шт
Минимальный заказ от 1000
Работаем только с юридическими лицами
- Производитель: Infineon Technologies AG
Срок поставки:
2 недели
Код товара:
AIFF150R12KE3G
Характеристики
- Производитель: Infineon Technologies AG
Описание
Модуль IGBT двухэлементный, Uкэ=1200 В,