Модуль IGBT двухэлементный, Uкэmax=1200 В, Iк=200 А, Uкэ насыщ=1.7 В, Pmax=1040 Вт, Rth=0.12 К/Вт

Арт: DF200R12KE3

/cat/prods/import/df200r12ke3/

9 207,76 с НДС / шт

Минимальный заказ от 1000

Работаем только с юридическими лицами

• Производитель: Infineon Technologies AG

Срок поставки: 2 недели

Код товара: AIDF200R12KE3

Кратность заказа: 1 шт

Нажмите на поле для изменения величины

В корзину

• Условия доставки
• Как оплатить
• Документация